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本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种双异质结极化增强的准纵向GaNHEMT器件。本发明相对于传统的GaNHEMT，采用P型GaN层提高二维空穴气浓度，耐压时双异质结界面处的二维电子气和空穴气分别耗尽，留下极性相反的固定极化电荷，电场线由正电荷指向负电荷，得到准矩形分布的横向电场；零偏时P型GaN层与二维空穴气共同阻断器件的纵向沟道，当P型GaN层被耗尽产生反型层且二维空穴气被耗尽时器件正常导通。本发明的有益效果为，相比于传统HEMT器件，本发明具有高阈值电压及高击穿电压的优势。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112909077 B
(45)授权公告日 2022.03.29
(21)申请号 202110169319.7 US 2015014740 A1,2015.01.15
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