一种形成SiGe沟道的热处理方法.pdfVIP

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2023-06-09 发布于四川
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一种形成SiGe沟道的热处理方法.pdf

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本发明提供一种形成SiGe沟道的热处理方法，采用多阶段变温变气体热处理工艺形成SiGe沟道，第一阶段为高温热处理，热处理温度为1050‑1100℃，所通气体为氧气，其主要目的使外延生长的硅锗层中的Ge向绝缘体上硅衬底的绝缘体上硅层移动；第二阶段为相对低温热处理，热处理温度为900‑1000℃,所通气体为氮气，其流量为0.5‑10升/分钟，主要目的是形成均匀SiGe沟道；并且进行多次进行高低温改变以及气体切换的热处理工艺。本发明能保证形成均匀的SiGe沟道，同时保证SiGe沟道不在高温下弛豫，提高

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112908849 A (43)申请公布日 2021.06.04 (21)申请号 202110115637.5 (22)申请日 2021.01.28 (71)申请人上海华力集成电路制造有限公司