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半导体器件的制备方法.pdfVIP

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  • 2023-06-09 发布于四川
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半导体器件的制备方法.pdf

    本发明提供了一种半导体器件的制备方法，包括：提供基底，在所述基底内形成若干栅极沟槽；在每个所述栅极沟槽中形成栅极多晶硅层；在所述栅极多晶硅层上形成图形化的光刻胶层，所述图形化的光刻胶层遮盖所述栅极多晶硅层且位于所述栅极沟槽正上方；以所述图形化的光刻胶层为掩模采用各项异性刻蚀工艺刻蚀所述栅极多晶硅层；以及，去除所述图形化的光刻胶层，并采用各项同性刻蚀工艺刻蚀所述第一部分和剩余的第二部分。本发明以满足互连工艺的要求，提高半导体器件的电性能。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112908841 A (43)申请公布日 2021.06.04 (21)申请号 202110314481.3 (22)申请日 2021.03.24 (71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司

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