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本发明公开一种碳化硅晶片的刻蚀方法，其包括：传入步，将表面具有图形化掩膜的碳化硅晶片传入工艺腔室；刻蚀步，向所述工艺腔室中通入工艺气体，将所述工艺气体激发为等离子体，刻蚀所述碳化硅晶片，其中，所述工艺气体包括刻蚀气体和稀释气体，所述刻蚀气体用于刻蚀所述碳化硅晶片，所述稀释气体用于稀释激发所述工艺气体得到的等离子体的浓度。采用上述技术方案公开的刻蚀方法刻蚀碳化硅晶片，可以防止形成的刻蚀结构的侧壁和底面近乎垂直，会引起尖端放电现象，从而容易损坏器件的问题。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112921403 A
(43)申请公布日 2021.06.08
(21)申请号 202110176708.2
(22)申请日 2021.02.09
(71)申请人 北京北方华创微电子装备有限公司
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