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本发明提供一种多芯片异质集成封装单元、堆叠结构及其制造方法。多芯片异质集成封装单元包括硅衬底、第一芯片和第二芯片。硅衬底包括有源区、芯片埋入腔有源区包含平行设置的第一有源区和第二有源区。芯片埋入腔设置在靠近第一有源区一侧和靠近第二有源区一侧。第一芯片和第二芯片分别倒装贴装在第一有源区的一侧的芯片埋入腔中和第二有源区的一侧的芯片埋入腔中；其中第一芯片和第二芯片是不同类型的芯片。本发明提供的多芯片异质集成封装单元，通过在同一硅衬底有源区两侧挖芯片埋入腔并埋入不同的芯片，在同一层中实现了异质芯片的集成
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112928077 A
(43)申请公布日 2021.06.08
(21)申请号 202110076187.3 H01L 23/488 (2006.01)
(22)申请日
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