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本申请涉及晶片级堆叠裸片结构以及相关联系统和方法。一种用于半导体装置的堆叠裸片结构大体上包含具有形成于晶片中的第一裸片的初级以及具有耦合到所述第一裸片的第二裸片的第二级。第三级包含耦合到所述第二裸片的第三裸片。所述级分别具有从所述裸片的作用侧延伸的导电第一、第二和第三互连件，且可在堆叠所述裸片之前接合。所述裸片可相对于彼此堆叠在偏移或旋转位置中，使得所述互连件延伸超过其它裸片中的每一者以接触重布层，所述重布层形成与外部部件的电连接。在一些配置中，具有第四裸片和导电第四互连件的第四级耦合到所述第三
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113013146 A
(43)申请公布日 2021.06.22
(21)申请号 202011484194.9
(22)申请日 2020.12.16
(30)优先权数据
16/721,67
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