1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

半导体器件及其制造方法.pdfVIP

  • 1
  • 0
  • 约2.03万字
  • 约 21页
  • 2023-06-11 发布于四川
  • 举报

半导体器件及其制造方法.pdf

    提供了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括半导体结构和输入/输出焊盘。半导体结构包括第一衬底和导电层，其中，第一衬底具有彼此相对的第一表面和第二表面，导电层设置在第一衬底的第一表面上，并且导电层包括一个或多个第一迹线。第一半导体结构具有穿过第一衬底并且暴露出一个或多个第一迹线的凹陷，并且输入/输出焊盘设置在一个或多个第一迹线上并且在凹陷中。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112968011 A (43)申请公布日 2021.06.15 (21)申请号 202110467208.4 H01L 23/535 (2006.01)

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >