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本发明公开了一种无隧穿氧化层的纳米线型突触晶体管及其制备方法，属于面向神经形态计算应用的突触器件领域。所述无隧穿氧化层的纳米线型突触晶体管采用氮化硅和氧化铪双俘获层的设计，使得该电荷俘获型突触器件既可以模拟长时程的突触可塑性，又可以模拟短时程的突触可塑性，从而极大地丰富了突触晶体管的功能。此外通过改变编程方式，即通过一次编程，而后改变电荷俘获位置而不是电荷俘获量的方式，以及无隧穿氧化层和高k/金属栅组合，降低突触器件的操作电压。这种具备低压操作优势和可以模拟多功能突触可塑性的基于电荷俘获机制的突
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113013257 A
(43)申请公布日 2021.06.22
(21)申请号 202110205069.8
(22)申请日 2021.02.24
(71)申请人 北京大学
地址 10
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