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本发明提供一种连接孔的钨填充工艺方法，提供同于制作连接孔的凹槽；在凹槽的侧壁形成一层阻挡层；在阻挡层上形成一层钨的成核层；对成核层进行氮气等离子的表面处理，使得凹槽沿其开口至其深度方向形成处理程度由强变弱的梯度分布；在凹槽中沉积钨，沿所述凹槽中处理程度由强变弱的梯度方向形成V型钨层；对经过表面处理的凹槽进行氢原子还原处理，以去除成核层中的氮；在凹槽中继续沉积钨，直至填满所述凹槽；用化学机械研磨法平坦化凹槽表面。本发明利用钨处理层在连接孔内延深度方向的差异化沉积速率，以及氢原子还原处理，可以同时达
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113013093 A
(43)申请公布日 2021.06.22
(21)申请号 202110205184.5
(22)申请日 2021.02.24
(71)申请人 上海华力集成电路制造有限公司
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