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本发明公开了一种改进的CVD设备、以及用改进的CVD设备实现共渗沉积铝硅涂层的制备方法；本发明设计的应用于铝硅共渗涂层制备的改进CVD设备，其包括反应气供气单元、改进CVD单元和废气处理单元。沉积反应室内设置有一区和二区的不同温度环境。应用改进的CVD设备进行改进CVD工艺加工时，一区温度场进行化学气相沉积，二区温度场进行原位真空扩散退火。采用本发明改进的CVD设备并配合本发明改进CVD工艺在涡轮发动机热端部件上共渗沉积铝硅涂层，制得的共渗沉积铝硅涂层在1150℃、100h氧化增重为1.5mg/
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112981368 B
(45)授权公告日 2022.06.07
(21)申请号 202110147304.0 C23C 16/56 (2006.01)
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