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本发明实施例提供一种标准单元版图模板以及半导体结构,标准单元版图模板包括:沿第一方向排布的第一阱区和第二阱区;第一栅极图形,位于所述第一阱区且沿所述第一方向延伸,用于定义第一栅极;第二栅极图形,位于所述第二阱区且沿所述第一方向延伸,用于定义第二栅极;栅电连接图形,位于所述第一栅极图形与所述第二栅极图形之间,用于定义栅电连接结构,所述栅电连接结构与所述第一栅极以及所述第二栅极同层设置,以电连接所述第一栅极和/或所述第二栅极。本发明实施例能够降低半导体结构的功耗,提升半导体结构的运行速度。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112992892 B
(45)授权公告日 2022.04.22
(21)申请号 202110163720.X H01L 27/092 (2006.01)
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