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制造半导体器件的光致抗蚀剂组合物和方法.pdfVIP

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  • 2023-06-12 发布于四川
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制造半导体器件的光致抗蚀剂组合物和方法.pdf

    本公开涉及制造半导体器件的光致抗蚀剂组合物和方法。制造半导体器件包括形成光致抗蚀剂层。将光致抗蚀剂层选择性暴露到光化辐射并显影以形成图案。光致抗蚀剂组合物包含：含碘敏化剂、光活性化合物和聚合物。含碘敏化剂包括铵、鏻或杂环铵碘化物，

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113050374 A (43)申请公布日 2021.06.29 (21)申请号 202110331803.5 (22)申请日 2021.03.29 (30)优先权数据 63/002,24

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