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用于形成半导体器件和系统的沉积工艺.pdfVIP

用于形成半导体器件和系统的沉积工艺.pdf

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    本公开涉及用于形成半导体器件和系统的沉积工艺。一种方法包括：将半导体衬底置于沉积室中，其中，半导体衬底包括沟槽；以及执行原子层沉积(ALD)工艺以在沟槽内沉积电介质材料，包括：使电介质材料的第一前体作为气相流入沉积室；使电介质材料的第二前体作为气相流入沉积室；以及控制沉积室内的压力和温度，使得第二前体作为第二前体的液相凝聚在沟槽内的表面上，其中，第二前体的液相具有毛细现象。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113035782 A (43)申请公布日 2021.06.25 (21)申请号 202011197842.2 (22)申请日 2020.10.30 (30)优先权数据 62/953,33

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