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本发明系提供一种封装有集成电路的场效应晶体管，N型基板的两侧设有N型主体和漏极金属层，N型主体一侧设有源极金属层；N型主体的顶部设有间隔的第一P型掺杂区和第二P型掺杂区，第一P型掺杂区的顶部设有第一N型掺杂区，第二P型掺杂区的顶部设有第二N型掺杂区，N型主体的顶部还设有若干P型注入区；源极金属层的底部设有第一绝缘层和第二绝缘层，第一绝缘层上设有第一栅极层，第二绝缘层上设有第二栅极层，第一栅极层外设有第一介电区，第二栅极层外设有第二介电区，第一介电区和第二介电区之间的源极金属层与N型主体之间形成肖
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113035861 A
(43)申请公布日 2021.06.25
(21)申请号 202110139393.4
(22)申请日 2021.02.01
(71)申请人 中之半导体科技（东莞）有限公司
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