缓变基区晶体管的电流放大系数.pptVIP

缓变基区晶体管：基区掺杂近似为指数分布，少子在基 区主要作漂移运动，又称为 漂移晶体管;P; 本节求基区输运系数 的思路; 基区杂质分布的不均匀会在基区中产生一个内建电场 E ，使少子在基区内以漂移运动为主，所以缓变基区晶体管又称为漂移晶体管。 ; 在实际的缓变基区晶体管中， 的值为 4 ~ 8 。 ; 因为 ， ，所以内建电场对渡越基区的电子起加速作用，是 加速场 。; 将基区内建电场 E 代入电子电流密度方程，可得注入基区的少子形成的电流密度（其参考方向为从右向左）为; 上式实际上也可用于均匀基区晶体管。对于均匀基区晶体管，NB 为常数，这时; 下面求基区少子分布 nB (x) 。; 对于均匀基区，; 对于缓变基区晶体管，当 较大时，上式可简化为;; 3.3.4 注入效率与电流放大系数; 类似地，可得从基区注入发射区的空穴形成的电流密度为;; 3.3.5 小电流时电流放大系数的下降; 当电流很小时，相应的 VBE 也很小，这时 很大，使 γ 减小，从而使 α 减小。; 随着电流增大， 减小