半导体测试结构及测试方法.pdfVIP

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2023-06-12 发布于四川
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半导体测试结构及测试方法.pdf

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本发明提供了一种半导体测试结构及测试方法，提供半导体测试结构，所述半导体测试结构自下而上包括第一金属层，层间介质层和第二金属层，所述第一金属层包括多条平行且间隔排布的金属线，且所述金属线至少包括相邻的第一待测线和第二待测线；形成暴露所述第一待测线的第一开口以及暴露所述第二待测线的第二开口；在第一开口内形成与第一待测线电连接的第一测试衬垫，并在第二开口内形成与第二待测线电连接的第二测试衬垫；利用第一测试衬垫和第二测试衬垫进行电性测试，判断第一待测线和第二待测线之间是否存在失效点。本发明可以对排布密

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115692232 A (43)申请公布日 2023.02.03 (21)申请号 202211429788.9 (22)申请日 2022.11.15 (71)申请人上海华力微电子有限公司地址 20