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一种半导体结构及其形成方法,所述形成方法包括:提供基底,基底上形成有第一介质层,第一介质层中形成有互连结构;对所述互连结构表面进行氧化处理,使部分厚度的所述互连结构转化成保护层;在保护层上形成第二介质层;形成贯穿第二介质层的导电通孔,导电通孔的底部暴露出保护层;去除导电通孔底部的保护层,暴露出互连结构;去除保护层后,在互连结构上形成填充导电通孔的导电插塞。本发明实施例形成的保护层能够在形成导电通孔的过程中对互连结构起到保护的作用,有利于防止互连结构发生腐蚀或损伤的问题,保证了互连结构的完整性并提
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113097125 A
(43)申请公布日
2021.07.09
(21)申请号 20201
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