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一种目标图形的修正方法、掩膜版的制作方法以及半导体结构的形成方法，其中目标图形的修正方法包括：提供目标图形，且所述目标图形沿第一方向延伸；将所述目标图形划分为一个第一中心区以及分别位于所述第一中心区两侧的两个第一边缘区；将各所述第一边缘区的目标图形的边缘分割为若干待补偿边；获取刻蚀偏移模型；根据刻蚀偏移模型对每个待补偿边分别进行第一补偿修正，得到第一补偿边。所述方法有利于提高蚀刻后得到的图形尺寸的均一性。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113093469 A
(43)申请公布日
2021.07.09
(21)申请号 20201
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