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本发明公开了一种阵列基板的制备方法及阵列基板。阵列基板的制备方法包括：提供衬底基板；在衬底基板的表面依次形成栅极层和栅极绝缘层；在栅极绝缘层远离栅极层一侧的表面形成有源层，其中，有源层包括金属氧化物半导体薄膜；在有源层远离栅极绝缘层一侧的表面形成金属层；在刻蚀槽中填充预设浓度的氮气；在刻蚀槽中利用刻蚀液对金属层进行图案化刻蚀，以形成源极和漏极；在置换槽中利用置换液对阵列基板的刻蚀液残留进行置换处理。本发明实施例提供的技术方案提高了制备的阵列基板的均匀性，改善了显示屏显示不均匀的现象。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113097134 B
(45)授权公告日 2022.07.15
(21)申请号 202110385104.9 H01L 27/12 (2006.01)
(22)申请日 2021.04
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