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一种微纳射频器件及制备方法，方法包括：在SOI片上生长隔离层；图形化隔离层，以在SOI片上形成谐振单元、电极引线、信号屏蔽层及封装环；在谐振单元的侧壁生长微纳级间隔层；去除电极引线、信号屏蔽层及封装环表面的隔离层，在SOI表面生长一层导电层，对导电层图形化，保留电极引线、信号屏蔽层、封装环部分上的导电层，以及在谐振单元与电极引线之间形成输入电极及输出电极；去除谐振单元表面的隔离层及SOI片上正对谐振单元的绝缘层。该方法可在微纳射频器件谐振单元侧壁制备微纳级间隔层，进而实现微纳级电容间隙，突破微纳
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113086943 B
(45)授权公告日 2022.05.24
(21)申请号 202110353170.8 B81C 3/00 (2006.01)
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