基于NiO/GaN p-n结自供电紫外探测器及制备方法.pdfVIP

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2023-06-13 发布于四川
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基于NiO/GaN p-n结自供电紫外探测器及制备方法.pdf

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本发明属于光电探测器技术领域，具体涉及一种基于NiO/GaNp‑n结自供电紫外探测器及制备方法，探测器包括衬底、位于所述衬底上方的n‑GaN层、位于所述n‑GaN层背离所述衬底一侧的p‑NiO层、第一电极和第二电极，所述第一电极位于所述p‑NiO层背离所述n‑GaN层一侧，所述第二电极与所述n‑GaN层抵接，所述n‑GaN层和所述p‑NiO层形成NiO/GaNp‑n结。本发明制备的NiO/GaNp‑n结自供电紫外探测器在紫外杀菌剂量检测、导弹跟踪、电晕监测等军用和民用领域都有广泛的应用前景，零功

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113113507 A (43)申请公布日 2021.07.13 (21)申请号 202110329571.X (22)申请日 2021.03.29 (71)申请人金华紫芯科技有限公司