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等离子体增强原子层沉积设备及方法.pdfVIP

等离子体增强原子层沉积设备及方法.pdf

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    本发明实施例提供一种等离子体增强原子层沉积设备及方法，该设备包括：前驱体供应装置，与两个工艺腔室的进气结构连通，用于选择性地向两个工艺腔室中的至少一个工艺腔室提供前驱体或吹扫气体；反应气体供应装置，与两个工艺腔室的进气结构连通，用于选择性地向两个工艺腔室中的至少一个工艺腔室提供反应气体；射频装置，与两个工艺腔室连接，用于选择性地向两个工艺腔室中的至少一个工艺腔室输出射频功率；压力调节装置，与两个工艺腔室的排气口连通，用于独立地分别控制两个工艺腔室的腔室压力。本发明实施例提供的等离子体增强原子层沉

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113106422 B (45)授权公告日 2022.03.22 (21)申请号 202110380765.2 (51)Int.Cl.

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