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2023-06-14 发布于四川
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本发明实施例公开了一种功率半导体器件及其制作方法。功率半导体器件包括：外延层，所述外延层包括多个深沟槽，所述深沟槽内设置有位于其底部的底部多晶硅层和位于其顶部的顶部多晶硅层；其中，部分所述深沟槽为第一深沟槽，所述第一深沟槽内的所述底部多晶硅层连接至源极，所述顶部多晶硅层连接至栅极；另外部分所述深沟槽为第二深沟槽，所述第二深沟槽内的所述底部多晶硅层和所述顶部多晶硅层均连接至栅极，和/或另外部分所述深沟槽为第三深沟槽，所述第三深沟槽内的所述底部多晶硅层和所述顶部多晶硅层连接至源极。与现有技术相比，本

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113113472 A (43)申请公布日 2021.07.13 (21)申请号 202110382782.X (22)申请日 2021.04.09 (71)申请人恒泰

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