光刻与刻蚀工艺课件.pptVIP

微电子工艺学Microelectronic Processing第六章 光刻与刻蚀工艺张道礼 教授Email:Voice:6.1 概述 6.1 概述基本工艺步骤：平面工艺技术已广泛应用于现今的集成电路(IC)工艺。显示平面工艺的几个主要步骤包含氧化(oxidation)、光刻(1ithography)、离子注入(ion implant)和金属化(metallization)。 6.1 概述氧化：高品质SiO 的成功开发，是2推动硅(Si)集成电路成为商用产品主流的一大动力。一般说来， SiO 可2作为许多器件结构的绝缘体，或在器件制作过程中作为扩散或离子注入的阻挡层。如在p