在衬底的相对侧上形成三维存储器器件和驱动器电路的方法.pdfVIP

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2023-06-14 发布于四川
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在衬底的相对侧上形成三维存储器器件和驱动器电路的方法.pdf

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本发明公开了一种形成器件结构的方法，该方法包括：在半导体衬底的前侧表面上方形成包括三维存储器器件的存储器层级结构；在该存储器层级结构上方形成存储器侧介电材料层；将处理衬底接合到该存储器侧介电材料层；在该处理衬底附接到该存储器侧介电材料层时减薄该半导体衬底；在减薄该半导体衬底之后在该半导体衬底的背侧半导体表面上形成包括场效应晶体管的驱动器电路；以及从该存储器侧介电材料层移除该处理衬底。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113169160 A (43)申请公布日 2021.07.23 (21)申请号 202080006884.5 (74)专利代理机构北京同立钧成知识产权代理