高温高压种晶触媒法合成钻石.docx

一、 钻石合成方法的进展历史 早在 18 世纪人们就开头了合成钻石的探究，但直到 20 世纪，由于热力学及高温高压技术的进展，才使钻石的合成得以实现。1953 年瑞士工程公司〔ASEA〕使用压力球装置首次成功地合成出了 40 粒小颗的钻石，美国通用电气公司〔GE〕也于 1955 年承受压带装置合成出了小颗粒的钻石。此后， 工业级钻石的合成技术得到广泛应用，目前几乎三分之二的工业用钻已由合成钻石替代了。但直到 1970 年宝石级大颗粒的钻石才由美国通用电气公司合成成功。经过近三十年的努力，目前已能获得十几克拉大的晶体，但宝石级钻石合成的本钱仍旧很高，虽有初步的 商业化，仍不能进展大批量的生产。2023 年合成的可切磨的钻石只有 3500ct，仅占当年自然宝石级钻石产量的 0.01%。 到二十世纪九十年月，人们制造了一种 化学气相沉积法〔CVD〕---一种在低压下生长钻石的方法。这种方法是在钻石的亚稳定区，用加热、放电等方法激活碳基气体〔如甲烷〕，使之 离解出碳原子和氢原子〔或甲基 CH 3 和氢原子〕，碳原子在甲基和氢原子的作用下在固相基片如 籽晶上沉积形成金刚石单晶薄膜或多晶质薄膜。目前生长速度只能到达每周 0.02mm，可获得的 金刚石薄膜厚度太小〔几十至几百微米〕，还远不能用来合成宝石级钻石，这种技术有时被用于 钻石及其它材料的外表镀层，在珠宝首饰业应用还格外有限。 二、合成钻石的原理与合成方法1．合成钻石的原理 图 8-1 钻石-石墨相图 钻石和石墨是碳的两种同质多像的变体。依据钻石-石墨的相平衡图可知，在常温常压下石墨是碳的稳定结晶形式，而钻石是一种亚稳定状态。钻石只有在高温高压下才是最稳定的， 自然钻石形成并保存于上地幔高温高压的条件下充分证明白这一点。但要在常温常压下破坏钻石中的 C-C 键需要很高的能量，因此，钻石不会自动转变为石墨。而在高温高压〔相图中钻石稳定 区的条件〕下，石墨的中的碳原子会重按钻石的构造排列，而形成钻石。 2．合成方法 合成钻石的方法主要分静压法、动压法和 低压法〔即在亚稳定区内生长钻石的方法〕。合成工业用钻石主要承受静压法中的静压触媒法，通过液压机产生〔4500-9000〕X109Pa 的压力， 以电流加热到 1000-20230C 的高温，利用金属触媒实现石墨向钻石的转化。 宝石级合成钻石也是承受的静压法，但参加了种晶，所以又称为晶种触媒法。此法承受了金属触媒来促进石墨向钻石的转化。金属触媒的主要作用是降低石墨向钻石转化的温度和压力条件，提高转化率。同时，金属触媒可以作为碳的溶剂。在适当的温度压力条件下，石墨和钻石 都可以溶于触媒中，并且，石墨的溶解度大于钻石，当压力上升时，二者的差异也增大。因此， 当石墨在金属触媒中溶解到达饱和时，对钻石而言就已经到达过饱和了，此时，钻石简洁从触媒中结晶出来。在合成过程中对温度、压力的掌握较简单，晶体生长的时间较长，所以本钱比合成工业钻砂高得多。下面介绍宝石级钻石的合成方法 原料：通常选用自然或合成的钻石粉，石墨及石墨与钻石的混合物作为碳源。 金属触媒：一般用的是铁镍合金。 原料在高温高压下溶解于铁镍触媒中，当温度降低或压力舱内存在温度梯度，溶解于触媒中的碳到达过饱和，并在种晶上以钻石的形式结晶出来。如此不断生长形成较大的钻石单晶体。 目前，合成宝石级钻石主要承受压带装置和分裂球装置。 图 8-2 压带装置 压带〔Belt〕装置：这种装置是美国通用电气公司制造的。通常承受两面顶压机加压， 电流通过叶蜡石炉内的碳管电阻加热。所用原料为合成或自然钻砂，还需要 2 个钻石籽晶分别放在 2 个生长舱的两端。所以一炉只能生长两颗钻石。合成宝石级钻石所用的压力为 5.5X109— 6X109Pa, 温度为 16500C。圆筒中间温度较高〔16500C〕，两端较低〔15500C〕。碳在中间溶解于金属触媒中，在两端析出于籽晶上。生长一颗 1 克拉的晶体需要 60 个小时。 分裂球〔BARS〕装置：1990 年由俄罗斯人制造的，由于独联体的解体，很多技术员把这项技术带到世界各地。目前市场上的宝石级合成钻石根本都是这种方法合成的。 图 8-3 分裂球装置 图 8-4 反响舱内部构造〔压带装置和分裂球装置中的反响舱一样〕 该装置由 2 个半球、8 瓣组成，合成需要的压力由液体注入压力桶获得。高压使 8 个球截体合拢， 从而对构成八面体外形的 6 个活塞产生压力。中间是一个小的生长仓，一次只能长 1 个晶体。生长舱内构造如下图。合成温度和压力条件根本同压带装置的条件。1 克拉的晶体需要长 3 天。 合成钻石大局部为黄-褐色，白色的很少。3．合成钻石的晶形、颜色及类型的掌握 合成钻石晶体形态主要为立方体与八面体的聚形。合成时的温度对形态有肯定的影响。 温度较低〔13000C〕