磁电式传感器.pptxVIP

磁电式传感器;第一节 磁电感应式传感器 ;一、磁电感应式传感器工作原理 ;开磁路变磁通式：结构简单，但输出信号较小，且因高速轴上加装齿轮较危险而不宜测量高转速的场合。 ;第5页/共97页;闭磁路变磁通式：感应电势的频率与被测转速成正比。 ;2、恒定磁通式;2、恒定磁通式;二、 磁电感应式传感器基本特性;输出电压和电压灵敏度分别为 ;三、磁电感应式传感器的测量电路 ;四、磁电感应式传感器的应用 动圈式振动速度传感器 ;磁电式振动测量演示;磁电式转速传感器演示;第15页/共97页;第二节 霍尔传感器; 一、霍尔效应和霍尔元件的工作原理;;设霍尔元件为N型半导体，当它通电流I时;所以，霍尔电压UH可表示为 UH = EH b = vBb;;3、霍尔系数及灵敏度;讨论：为什么只能用半导体材料作霍尔元件？;霍尔元件灵敏度;霍尔器件符号; 二、霍尔元件的主要技术参数; 4、霍尔电势温度系数： 在一定磁感应强度和激励电流下，温度每变化1℃时，霍尔电势变化的百分率称为霍尔电势温度系数。; 6、 额定激励电流和最大允许激励电流： 当霍尔元件自身温升10℃时所流过的激励电流称为额定激励电流。 以元件允许最大温升为限制所对应的激励电流称为最大允许激励电流。 因霍尔电势随激励电流增加而线性增加，所以使用中希望选用尽可能大的激励电流，因而需要知道元件的最大允许激励电流。改善霍尔元件的散热条件，可以使激励电流增加。 ; 7、寄生直流电势 ： 在外加磁场为零、霍尔元件用交流激励时，霍尔电极输出除了交流不平衡电势外，还有一直流电势，称为寄生直流电势。 其产生的原因有：  ① 激励电极与霍尔电极接触不良， 形成非欧姆接触， 造成整流效果；  ② 两个霍尔电极大小不对称，则两个电极点的热容不同， 散热状态不同而形成极间温差电势。  寄生直流电势一般在1mV以下，它是影响霍尔片温漂的原因之一。 ;常用国产霍尔元件的技术参数;第31页/共97页;第32页/共97页; 三、霍尔元件测量电路和输出电路;2、霍尔电势输出电路;霍尔开关集成传感器内部结构框图;输出 Vout;（2）线性应用;集成线性传感器的电路结构框图; 四、霍尔元件的测量误差补偿方法;几种常用补偿方法;2、温度误差及补偿方法;（1）、利用输出回路并联电阻进行补偿; 在温度影响下，元件输出电阻和电势变为：;（2）、利用输入回路串联电阻进行补偿;元件霍尔系数和输入内阻与温度之间的关系式为：;对上式求温度的导数，可得增量表达式：;即 ：; 霍尔输出随温度升高而上升，只要能使控制电流随温度升高而下降，就能进行补偿。 在输入回路串入热敏电阻：当温度上升时其阻值上升 ，从而使控制电流下降。;（b）输出回路补偿 ;（4） 利用补偿电桥进行补偿; 五、霍尔传感器应用;1、测量磁场的大小和方向;2、 霍尔式微位移传感器;第54页/共97页;3、霍尔电流变换器;4、霍尔式压力传感器;第57页/共97页;5、利用霍尔传感器实现无接触式仿型加工;6、霍尔转速传感器;第60页/共97页;第61页/共97页;7、霍尔计数装置;8、汽车霍尔电子点火器;R6;9、非接触式键盘开关;第三节 磁敏传感器; 一、磁敏电阻器;Ｂ：为磁感应强度； ρB：材料在磁感应强度为Ｂ时的电阻率； ρ0 ：材料在磁感应强度为0时的电阻率； μ：载流子的迁移率。; 二、磁敏二极管;2、磁敏二极管的工作原理; （2）当磁敏二极管受到外界磁场H+作用时 电子、空穴受到洛仑兹力作用而向r区偏移，由于r区的电子、空穴复合率比光滑面I区快，因此形成的电流因复合速度而减小。; （3）当磁敏二极管受到外界磁场H-作用时 电子、空穴受到洛仑兹力作用而向I区偏移，由于电子、空穴复合率明显变小，则电流变大。;; 结论： 随着磁场大小和方向的变化，可产生正负输出电压的变化、特别是在较弱的磁场作用下，可获得较大输出电压。若r区和r区之外的复合能力之差越大，那么磁敏二极管的灵敏度就越高。 磁敏二极管反向偏置时，则在 r区仅流过很微小的电流，显得几乎与磁场无关。因而二极管两端电压不会因受到磁场作用而有任何改变。 ;3、磁敏二极管的主要特性; （2）.伏安特性：磁敏二极管正向偏压和通过其上 电流的关系。 不同磁场强度H作用下，磁敏二极管伏安特性不同。例锗磁敏二极管的伏安特性。;硅磁敏二极管的伏安特性;（3）.温度特性：在标准测