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本公开涉及具有包括凹入轮廓的接触部插塞的鳍式场效应晶体管器件。一种形成半导体器件的方法包括：在突出于衬底上方的鳍之上形成栅极结构；在所述栅极结构的相反侧，在所述鳍之上形成源极/漏极区域；在所述源极/漏极区域之上依次形成第一电介质层和第二电介质层；执行第一蚀刻工艺以在所述第一电介质层和所述第二电介质层中形成开口，其中，所述开口暴露下方导电特征；在执行所述第一蚀刻工艺之后，执行第二蚀刻工艺以扩大所述开口的接近所述衬底的下部；以及在所述第二蚀刻工艺之后在所述开口中形成接触部插塞。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113178416 A
(43)申请公布日 2021.07.27
(21)申请号 202011336019.5
(22)申请日 2020.11.25
(30)优先权数据
16/870,34
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