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用于电场引导的光刻胶图案化工艺的膜结构.pdfVIP

用于电场引导的光刻胶图案化工艺的膜结构.pdf

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    本文提供了用于最小化藉由光刻法所形成的线中的线缘/线宽粗糙度的方法和设备。在一个实例中，一种处理基板的方法包括以下步骤：将包括光酸产生剂的光刻胶层施加到设置在基板上的多层上，其中所述多层包括由有机材料、无机材料、或有机材料与无机材料的混合物所形成的下伏层；在光刻曝光工艺中将所述光刻胶层的未被光掩模保护的第一部分暴露于辐射光；和施加电场或磁场以实质上在垂直方向上变更所述光酸产生剂所产生的光酸的移动。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113196452 A (43)申请公布日 2021.07.30 (21)申请号 201980083895.0 怡利 ·Y ·叶　

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