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本发明公开了一种P型晶体硅电池的制备方法，解决了P型晶体硅背面载流子选择性结构电池的漏电问题。其包括如下步骤：B、在P型晶体硅片的背面生长氧化物薄层；C、在氧化物薄层上沉积多晶硅层，并掺杂III族元素；D、在P型晶体硅片上的III族元素掺杂面上单面沉积氧化物膜；E、将P型晶体硅片上的III族元素掺杂面向上，以漂浮的方式放入第一溶液中处理；F、对P型晶体硅片的非掺杂面单面进行制绒；G、在P型晶体硅片的正面进行磷掺杂；H、将P型晶体硅片的磷掺杂面向上，以漂浮的方式放入第二溶液中处理；I、将经第二溶液
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 110518089 A
(43)申请公布日
2019.11.29
(21)申请号 20191
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