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半导体装置.pdfVIP

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  • 2023-06-15 发布于四川
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半导体装置.pdf

    本发明提供一种能在维持电流性能的情况下提高有源钳位状态下的晶体管的温度的均匀性的半导体装置。本发明中，功率晶体管(14)与功率晶体管(13)并联连接。有源钳位电路(8)设置在从功率晶体管(13)与功率晶体管(14)之间的连接点(P1)到功率晶体管(13)的栅极为止的路径(R1)上，在连接点(P1)的电压超过了第1阈值的情况下导通。有源钳位切断电路(12)设置在从有源钳位电路(8)到功率晶体管(14)的栅极为止的路径(R2)上，切断或抑制流至路径(R2)的电流。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 109643993 A (43)申请公布日 2019.04.16 (21)申请号 20178

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