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本发明公开了一种高可靠板级扇出型SiCMOSFET封装结构优化方法。本发明首先采用有限元仿真模拟计算出SiCMOSFET中重布线层（RDL）在稳态散热中的最大散热温度和温度循环作用下的最大应力，然后在此基础上对仿真进行优化设计与分析，构建芯片的分布与散热温度和最大应力之间的神经网络训练数据集；接着利用蚁群算法进行迭代计算得到适应度值的进化曲线，其中适应度值由神经网络算法预测得到。从而找出散热与热应力最优情况下的芯片分布方式，以达到优化目的。本发明主要应用于功率模块封装可靠性优化场合，通过改善
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113158601 A
(43)申请公布日 2021.07.23
(21)申请号 202110312986.6 G06N 3/08 (2006.01)
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