图形化衬底、发光二极管外延片及其制备方法.pdfVIP

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2023-06-15 发布于四川
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图形化衬底、发光二极管外延片及其制备方法.pdf

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本发明公开了一种图形化衬底、发光二极管外延片及其制备方法，属于半导体技术领域。所述图形化衬底包括衬底本体和氧化铯层，所述衬底本体的表面具有多个凸起，每个所述凸起的远离所述衬底本体的一端均设有所述氧化铯层，每个所述凸起和每个所述凸起上对应的所述氧化铯层构成一个圆锥结构。采用该图形化衬底可以增大图形化衬底的反射出光率，提升发光二极管芯片的发光亮度，最终提高LED的发光效率。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113161459 A (43)申请公布日 2021.07.23 (21)申请号 202110214521.7 (22)申请日 2021.02.25 (71)申请人华灿光电（浙江）有限公司