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本发明公开一种玻璃基板上的一次编程非挥发性存储单元，其中该一次编程非挥发性存储单元具有一存储元件，该存储元件包括：一玻璃基板、一缓冲层、一多晶硅层与二金属层。缓冲层位于该玻璃基板上。多晶硅层位于该缓冲层上。该多晶硅层包括一P型掺杂区与一N型掺杂区。该二金属层分别接触于该N型掺杂区与该P型掺杂区。该二金属层、该第一N型掺杂区与该第一P型掺杂区形成一二极管。在一编程动作时，该二极管接收一编程电压，使得该二极管为逆向偏压，且该二极管由一第一存储状态变成一第二存储状态。在一读取动作时，该二极管接收一读取
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113257820 A
(43)申请公布日 2021.08.13
(21)申请号 202110067401.9
(22)申请日 2021.01.19
(30)优先权数据
62/975,67
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