【半导体培训资料】MOS电容器工作原理.pptxVIP

CCD成像技术及其在遥感中的应用第二章 CCD工作原理;内容;CCD的工作过程;CCD的性能很大程度上是由电荷图像的生成决定的，CCD电荷图像的生成是CCD工作最重要的过程之一。;硅和锗都是金刚石晶格结构;电荷的生成 能带理论复习;电荷的生成;电荷的生成;电荷的生成 能带理论复习;电荷的生成 有关参数;电荷的生成;厚型前照明 CCD;硅片减薄到 15?m左右，光线由背面射入，避免了电极对光线的阻挡，可以得到很高的量子效率。由于可以在硅表面制作减反膜，短波响应将得到很大提高。; 空气或真空的折射率为 1.0， 硅为 3.6。利用上述方程式可以得出 在空气中硅的反射率是 32%。除非采取适当的措施消除这种反射，否则硅CCD只能探测到2/3的入射光子。增透膜可以解决这个问题。; 加入增透膜以后，有三种介质需要考虑：;右图是 EEV 42-80 CCD的反射率曲线。这种薄型 CCD 是专为提高蓝光谱响应设计的，其增透膜最佳工作波长为 400nm。在400nm 反射率下降到左右1% 。;电荷的生成;电荷的生成;电荷的生成;电荷的生成;电荷的生成 Foveon X3 Sensors;电荷的生成 Foveon X3 Sensors;电荷的生成;电荷的生成;电荷的生成;电荷的收集;电荷的收集 MOS 电容器;电荷的收集 MOS 电容器;无偏置时， n-型层内含有多余的电子向p-型层扩散，