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本发明涉及一种半导体装置及半导体存储装置。根据一个实施方式,实施方式的半导体装置具备:第1氧化物半导体层,具有第1区域、第2区域、及第1区域与第2区域之间的第3区域;栅电极;栅极绝缘层,设置在第3区域与栅电极之间;第1电极,与第1区域电连接;第2电极,与第2区域电连接;及第2氧化物半导体层,设置在第1区域与第1电极之间、及第2区域与第2电极之间中至少一处,包含铟(In)、铝(Al)及锌(Zn),且铝相对于铟、铝及锌的总和的原子比为8%以上23%以下,铟相对于铟、铝及锌的总和的原子比为45%以下。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113257923 A
(43)申请公布日
2021.08.13
(21)申请号 20201
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