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- 2023-06-17 发布于四川
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本公开涉及半导体器件。一种半导体器件包括：第一子芯片，包括由多个第一通路互连的多个第一金属层；第二子芯片，包括由多个第二通路互连的多个第二金属层；绝缘层，插置在第一子芯片和第二子芯片之间，其中绝缘层包括形成在第一子芯片的表面上的第一绝缘层和形成在第二子芯片的表面上的第二绝缘层；连接区，布置在绝缘层中且将第一金属层电连接到第二金属层；以及贯通通路，从第二子芯片的远离第一子芯片的表面穿入第二子芯片，且被电连接到第二金属层，其中第一通路、第二通路、以及连接区至少之一与贯通通路横向间隔开，以及其中至少一
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113284878 A
(43)申请公布日 2021.08.20
(21)申请号 202110417395.5 H01L 27/146 (2006.01)
(22)申请日
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