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- 2023-06-17 发布于四川
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公开了一种半导体结构、半导体器件及其制造方法。一种示例性制造方法包括：在半导体衬底的正面形成第一类型外延层与第二类型外延层的堆叠件；对堆叠进行图案化以形成鳍状结构；在鳍状结构的侧壁上沉积介电层；以及使介电层凹陷以暴露鳍状结构的顶部部分。该凹陷介电层的顶面位于堆叠件的底面上方。该示例性制造方法还包括：在鳍状结构的顶部部分上方形成栅极结构；从半导体衬底的背面蚀刻半导体衬底；以及穿过沟槽蚀刻至少最底第一类型外延层和最底第二类型外延层。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114551352 A
(43)申请公布日 2022.05.27
(21)申请号 202210084499.3
(22)申请日 2022.01.25
(30)优先权数据
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