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本发明涉及一种半导体器件及其制作方法。该方法包括：提供半导体基板；形成第一字线沟槽结构；在第一字线沟槽结构底部形成第一牺牲层；利用外延生长法填满位于有源区内的第一字线沟槽结构；形成第一绝缘层，其覆盖半导体基板的顶部和第一字线沟槽结构，并将第一字线沟槽结构封口；在有源区内形成第二字线沟槽结构和鳍型结构，第二字线沟槽结构的深度小于第一字线沟槽结构的深度，且第二字线沟槽结构在竖直方向上的投影与第一牺牲层在竖直方向上的投影完全重叠；去除第一牺牲层以形成字线隧道与所述第一字线沟槽结构连通；对第一字线沟槽结
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113270405 A
(43)申请公布日
2021.08.17
(21)申请号 20201
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