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一种提高开漏输出级耐压值的结构，通过在输出级NMOS管的漏极与输出电压端之间接入稳压管等电路，能够为输出级NMOS管的漏极分担来自后一级电源电压VDD的承压，从而提高了输出级的耐压值，避免了后一级的电源电压直接作用在Open‑drain输出级MOS管的Drain和Source之间，降低了输出级MOS管的VDS，且能保证正确的输出和下拉驱动能力。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116264460 A
(43)申请公布日 2023.06.16
(21)申请号 202111532890.7
(22)申请日 2021.12.15
(71)申请人 圣邦微电子（北京）股份有限公司
地
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