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一种单通道忆阻器及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-06-17 发布于四川
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一种单通道忆阻器及其制备方法.pdf

    本发明属于微电子器件技术领域，公开了一种单通道忆阻器及其制备方法，该单通道忆阻器包括由第一功能层(1)和第二功能层(2)堆叠形成的功能层；其中，第一功能层所采用的第一忆阻材料，与第二功能层所采用的第二忆阻材料之间，存在晶格失配，且晶格失配度不低于5％；由此基于电压作用，在第一功能层和第二功能层的界面上将能够形成导电丝，从而实现单通道忆阻功能。本发明设置第一功能层和第二功能层，利用界面不匹配的、接近完美晶格的忆阻材料界面处形成的空位、悬挂键等缺陷，构建导电细丝，从而将导电细丝限制在界面处，形成单通

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113285020 B (45)授权公告日 2022.07.05 (21)申请号 202110471425.0 (56)对比文件 (22)申请日 2021.04.29

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