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- 2023-06-17 发布于四川
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一种半导体存储器件包括：第一堆叠结构，包括第一阶梯部分；第二堆叠结构，在第一堆叠结构上并包括与第一阶梯部分重叠的第二阶梯部分；第一接触插塞，穿透第一堆叠结构和第二堆叠结构、电连接到第一堆叠结构并且不电连接到第二堆叠结构；以及第二接触插塞，穿透第一堆叠结构和第二堆叠结构、电连接到第二堆叠结构并且不电连接到第一堆叠结构。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113921529 A
(43)申请公布日 2022.01.11
(21)申请号 202110776606.4
(22)申请日 2021.07.09
(30)优先权数据
10-2020-0
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