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一种具有高灵敏度的压力传感器及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-06-17 发布于四川
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一种具有高灵敏度的压力传感器及其制备方法.pdf

    本发明公开了一种具有高灵敏度的压力传感器及其制备方法。本发明压力传感器包括：Si衬底上依次沉积的GaN缓冲层和n型掺杂GaN层；n型掺杂GaN层上沉积的p型掺杂GaN层；p型掺杂GaN层上沉积的n型掺杂AlGaN层；在n型AlGaN上淀积的一层AlN；选择性刻蚀部分AlN层、p型GaN层和n型GaN层形成的发射极、基极和集电极的电极接触区；选择性刻蚀n‑AlGaN/p‑GaN/n‑GaN外延层以及GaN缓冲层形成的悬空AlN悬梁臂。本发明利用悬梁臂灵敏的压力传导效应将压力信号转换成电信号，并输入

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113270491 A (43)申请公布日 2021.08.17 (21)申请号 202110457934.8 H01L 41/113 (2006.01)

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