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具有下凹导电结构的微电子装置及相关方法和系统.pdfVIP

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  • 2023-06-17 发布于四川
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具有下凹导电结构的微电子装置及相关方法和系统.pdf

    本申请涉及具有下凹导电结构的微电子装置以及相关方法和系统。微电子装置包括堆叠结构，所述堆叠结构具有以层布置的绝缘结构和导电结构的垂直交替的序列。导电接触结构延伸穿过堆叠结构。绝缘材料位于所述导电接触结构和所述堆叠结构的所述层之间。在所述堆叠结构的下层部分中，所述多个导电结构中的一个导电结构具有在一对所述导电接触结构之间延伸第一宽度的部分。在所述下层部分上方的所述堆叠结构的一部分中，所述多个导电结构的另一导电结构具有在所述一对导电接触结构之间延伸第二宽度的另一部分。所述第二宽度大于所述第一宽度。还

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113903745 A (43)申请公布日 2022.01.07 (21)申请号 202110755882.2 (22)申请日 2021.07.05 (30)优先权数据

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