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半导体存储单元结构、半导体存储器及其制备方法、应用.pdfVIP

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  • 2023-06-17 发布于四川
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半导体存储单元结构、半导体存储器及其制备方法、应用.pdf

    本发明涉及一种半导体存储单元结构、半导体存储器及其制备方法、应用。半导体存储单元结构包括：基底，以及第一晶体管层、隔离层和第二晶体管层；第一晶体管层包括：由第一源极、第一沟道、第一漏极由下至上堆叠而成的第一堆叠结构，以及位于第一堆叠结构侧壁的第一栅极；第二晶体管层包括：由第二漏极、第二沟道、第二源极由下至上堆叠而成的第二堆叠结构，以及位于第二堆叠结构侧壁的第二栅极，第二漏极的侧壁的至少一部分与第一栅极直接接触，本发明提供了经过结构改进的2T0C类型的DRAM单元，具有垂直堆叠集成、集成度高、低漏

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114446963 A (43)申请公布日 2022.05.06 (21)申请号 202111456087.X (22)申请日 2021.12.01 (71)申请人 北京超弦存储器研究院 地址 100

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