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描述具有栅极切割偏移的集成电路结构和加工具有栅极切割偏移的集成电路结构的方法。例如，一种集成电路结构包括第一水平纳米线垂直堆。第二水平纳米线垂直堆与第一水平纳米线垂直堆分隔开，并且平行于第一水平纳米线垂直堆。栅极结构包括在所述第一水平纳米线垂直堆之上的第一栅极结构部分、在所述第二水平纳米线垂直堆之上的第二栅极结构以及在所述第一栅极结构部分和所述第二栅极结构部分之间的栅极切割，与所述第一水平纳米线垂直堆相比，所述栅极切割沿侧向更靠近所述第二水平纳米线垂直堆。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116264227 A
(43)申请公布日 2023.06.16
(21)申请号 202211411125.4 H01L 21/8234 (2006.01)
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