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半导体器件及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-06-17 发布于四川
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半导体器件及其制造方法.pdf

    提供了用于制造半导体器件的方法，该半导体器件包含在两个相邻鳍结构之间延伸的合并源极/漏极部件。在该合并源极/漏极部件下形成气隙。形成外延部件包括：生长具有位于第一鳍结构的上方的第一部分和位于第二鳍结构的上方的第二部分的第一外延部件，在第一鳍部件的第一部分和第二部分的上方生长第二外延部件，以及第二外延部件的上方生长第三外延部件。该第二外延部件包括第一鳍结构与第二鳍结构之间的合并部分。本申请的实施例还涉及半导体器件。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113284848 A (43)申请公布日 2021.08.20 (21)申请号 202110185494.5 H01L 27/088 (2006.01)

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