原创力文档- 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明涉及半导体器件及其制造方法。半导体器件包括：衬底；位线导电层，其设置在衬底上并在实质上平行于衬底表面的第一横向方向上延伸；第一和第二沟道结构，其设置在位线导电层上而在第一横向方向上彼此间隔开；第一和第二栅极电介质层，其设置在衬底上方的第一沟道结构和第二沟道结构的侧表面上；第一和第二栅极线导电层，其分别设置在第一栅极电介质层和第二栅极电介质层上，第一和第二栅极线导电层分别与第一沟道结构和第二沟道结构相邻，并且在垂直于第一横向方向并实质上平行于衬底表面的第二横向方向上延伸；以及第一和第二储存节
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114373758 A
(43)申请公布日 2022.04.19
(21)申请号 202110428543.3
(22)申请日 2021.04.21
(30)优先权数据
10-2020-0
文档评论（0）