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一种用于制造垂直腔表面发射激光器(VCSEL)装置(100)的方法，该方法包括：提供第一结构(112)，该第一结构包括晶片(116)上的VCSEL层结构(114)，该VCSEL层结构、包括该晶片在内均包含一种或多种半导体材料，该第一结构具有非平坦的第一结构顶表面(118)，该非平坦的第一结构顶表面具有沿非平坦的顶表面变化的高度水平，其中，该非平坦的第一结构顶表面包括位于该晶片上方的不同高度水平处的一个或多个电接触区域(120)；在该非平坦的第一结构顶表面上沿着该非平坦的第一结构顶表面施加一层或多
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114586252 A
(43)申请公布日 2022.06.03
(21)申请号 202080072746.7 (74)专利代理机构 永新专利商标代理有限公司
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