基本放大电路教学场效应管共源极放大电路教学.pptxVIP

基本放大电路教学场效应管共源极放大电路教学第1页/共30页 2023/6/17答疑3.电流源及其特性曲线UIISISUIUIIrISrUIISI1=IS+Ir1 =IS+U1/rI2=IS+Ir2 =IS+U2/r?I= I2 -I1 =（ U2 - U1 ）/r = ?U/rr= ?U/ ?I如何求r？第2页/共30页 2023/6/17答疑4. 晶体管CE间的微变等效电路 iCuCE?iC?uCErbe?ibib rce流控电流源在线性放大区，rce很大，可忽略第3页/共30页 2023/6/17§10.4 场效应晶体管场效应管与晶体管不同，它是多子导电，输入阻抗高，温度稳定性好。结型场效应管JFET绝缘栅型场效应管MOS场效应管有两种:N沟道P沟道耗尽型增强型耗尽型增强型第4页/共30页 2023/6/17 MOS绝缘栅场效应管（N沟道）（1） 结构PNNGSDP型基底两个N区SiO2绝缘层金属铝N导电沟道未预留? N沟道增强型预留? N沟道耗尽型第5页/共30页 2023/6/17PNNGSDN沟道增强型（2）符号N沟道耗尽型GSD栅极漏极源极GSD第6页/共30页 2023/6/17?N沟道MOS管的特性曲线IDmAVUDSUGS 实验线路(共源极接法)GSDRDPNNGSD第7页/共30页 2023/6/17NMOS场效应管转移特性N沟道耗尽型（UGS=0时，有ID）GSD0UGS（off）IDUGS夹断电压UGS有正有负N沟道增强型（UGS=0时，ID =0 ）GSDIDUGSUGS（th）开启电压UGS全正第8页/共30页 2023/6/17UGS=3VU DS （V）ID（mA）01324UGS=4VUGS=5VUGS=2VUGS=1V开启电压UGS（th）=1V固定一个U DS，画出ID和UGS的关系曲线，称为转移特性曲线增强型NMOS场效应管输出特性曲线第9页/共30页 2023/6/17增强型NMOS场效应管转移特性N沟道增强型（UGS=0时，ID =0 ）GSDIDUGSUGS（th）开启电压UGS全正第10页/共30页 2023/6/17耗尽型NMOS场效应管输出特性曲线UGS=0VU DS （V）ID（mA）01324UGS=+1VUGS=+2VUGS=-1VUGS=-2V夹断电压UP=-2V固定一个U DS，画出ID和UGS的关系曲线，称为转移特性曲线第11页/共30页 2023/6/17耗尽型NMOS场效应管转移特性N沟道耗尽型（UGS=0时，有ID）GSD0UGS（off）IDUGS夹断电压UGS有正有负第12页/共30页 2023/6/17跨导gmUGS=0VU DS （V）ID（mA）01324UGS=+1VUGS=+2VUGS=-1VUGS=-2V= ? ID / ? UGS =（3-2）/（1-0）=1/1=1mA/V? UGS? ID夹断区可变电阻区恒流区第13页/共30页 2023/6/17场效应管的微变等效电路输入回路：开路输出回路：交流压控恒流源，电流GSD+-GSD第14页/共30页 2023/6/17§ 11.6 场效应管放大电路11.6.1 电路的组成原则及分析方法(1).静态：适当的静态工作点，使场效应管工作在恒流区 (2).动态: 能为交流信号提供通路组成原则静态分析：估算法、图解法。动态分析：微变等效电路法。分析方法第15页/共30页 2023/6/1711.6.2 场效应管共源极放大电路静态分析无输入信号时（ui=0），估算：UDS和 ID。+UDD=+20VuoRSuiCSC2C1R1RDRGR2RL150K50K1M10K10KGDS10KIDUDSR1=150k?R2=50k?RG=1M?RD=10k?RS=10k?RL=10k?gm =3mA/VUDD=20V第16页/共30页 2023/6/17设：UGUGS则：UG?US而：IG=0所以：=直流通道+UDD+20VR1RDRGR2150K50K1M10KRS10KGDSIDUDSIG第17页/共30页 2023/6/1711.6.3 动态分析微变等效电路+UDD=+20VuoRSuiCSC2C1R1RDRGR2RL150K50K1M10K10KGDS10KSGR2R1RGDRLRDUgsgmUgsUiUoIdSGDid第18页/共30页 2023/6/17 动态分析：UgsUiriroUoUgsgmId=SGR2R1RGRL?DRLRD= – gm UiRL 电压放大倍数负号表示输出输入反相第19页/共30页 2023/6/17电压放大倍数估算R1=150k?R2=50k?RG=1M?RS=10k?RD=10k?RL=10k?gm =3mA/VUDD=20V=-3?（